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硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
何超
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/06/02
Si 基发光器件
Ge/Si 量子点
Ge/SiGe 量子阱
Ge 薄膜
能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质
学位论文
2014, 2014
黄诗浩
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/01/12
能带工程
张应变锗
Si基Ge外延材料
绝缘层上硅锗/锗材料
室温光致发光
Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构
Band engineering
Tensile strained Ge
Ge-on-Si
SGOI/GOI
Room temperature photoluminescence
Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures
铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究
学位论文
2014, 2014
孙钦钦
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/01/12
铝诱导晶化
多晶硅
多晶硅锗
AIC
Poly-Si
Poly-SiGe
热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散
期刊论文
功能材料与器件学报, 2014, 卷号: 20, 页码: 205-208
作者:
文娇[1]
;
刘畅[2]
;
俞文杰[3]
;
张波[4]
;
薛忠营[5]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/30
Si/SiGe互扩散
热载荷
硼浓度梯度
Si基Ge材料的外延生长、原位掺杂及其光电性质
学位论文
2012, 2012
陈城钊
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/14
低温锗缓冲层技术
SiGe/Ge 超晶格
原位掺杂
Si 基Ge PN结
Low temperature buffer technique
trained layer superlattices(SLSs)
in situ doping
Si-based Ge PN junction
SOI-based Ge PIN structure
多孔SiGe/Si异质材料微腔的结构设计与制备
期刊论文
2012
周笔
;
陈松岩
;
李成
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/05/17
多孔
微腔
SiGe
Si
porous
microcavity
SiGe
Si
Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760
Yu, W
;
Zhang, B
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hartmann, JM
;
Luptak, R
;
Mussler, G
;
Fox, A
;
Bourdelle, KK
;
Wang, X
;
Mantl, S
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/04/17
Hole mobility
quantum well (QW)
SiGe
strained Si (sSi)
Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101
Zhao, QT
;
Yu, WJ
;
Zhang, B
;
Schmidt, M
;
Richter, S
;
Buca, D
;
Hartmann, JM
;
Luptak, R
;
Fox, A
;
Bourdelle, KK
;
Mantl, S
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/17
Tunnel FET
Strained Si
Subthreshold swing
SiGe
Reduced perssure-chemical vapor deposition of high quality Ge layers on SiGe/Si superlayers for microelectronics and optoelectronics purposes
会议论文
4th International Symposium on Graphene, Ge/III-V and Emerging Materials for Post-CMOS Applications - 221st ECS Meeting, Seattle, WA, United states, May 6, 2012 - May 10, 2012
作者:
Chen, Da
;
Xue, Zhongying
;
Liu, Su
;
Zhang, Miao
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/01/20
Germanium
Chemical vapor deposition
Graphene
Microelectronics
Nanowires
Silicon
Substrates
Thick films
Vapors
Conventional approach
High growth temperatures
High quality
Low temperatures
Reduced pressure chemical vapor deposition
Si process
SiGe/Si
Superlayers
Tensile-strain configuration
Formation and properties of GeOI prepared by cyclic thermal oxidation and annealing processes
期刊论文
2011
Hu Mei-Jiao
;
Li Cheng
;
Xu Jian-Fang
;
Lai Hong-Kai
;
Chen Song-Yan
;
李成
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
SIGE-ON-INSULATOR
STRAINED SI
GERMANIUM
FABRICATION
ULTRATHIN
MOSFETS
SI0.5GE0.5
FRACTION
LAYER
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