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	热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散
	文娇[1]; 刘畅[2]; 俞文杰[3]; 张波[4]; 薛忠营[5]; 狄增峰[6]; 闵嘉华[7]
刊名	功能材料与器件学报
	2014
卷号	20页码:205-208
关键词	Si/SiGe互扩散 热载荷 硼浓度梯度
ISSN号	1007-4252
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2279556
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学材料科学与工程学院, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200444, 中国[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[3] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[4] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[5] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[6] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国[7] 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200444, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	文娇[1],刘畅[2],俞文杰[3],等. 热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散[J]. 功能材料与器件学报,2014,20:205-208.
APA	文娇[1].,刘畅[2].,俞文杰[3].,张波[4].,薛忠营[5].,...&闵嘉华[7].(2014).热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散.功能材料与器件学报,20,205-208.
MLA	文娇[1],et al."热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散".功能材料与器件学报 20(2014):205-208.

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