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Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method
期刊论文
CRYSTALS, 2024, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 11
作者:
Zhang, Yu
;
Wen, Xin
;
Chen, Nuofu
;
Zhang, Fang
;
Chen, Jikun
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2024/04/02
numerical simulation
SiC
single crystal growth
heat transfer
fluid flow
Sawing stress of SiC single crystal with void defect in diamond wire saw slicing
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF ADVANCED MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 103, 期号: 1-4, 页码: 1019-1031
作者:
Gao, Yufei
;
Chen, Yang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
SiC single crystal
Wire saw
Sawing stress
void defect
Finite element
analysis
Surface quality evaluation of single crystal 4H-SiC wafer machined by hybrid laser-waterjet: Comparing with laser machining
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 卷号: 93, 页码: 238-251
作者:
Feng, Shaochuan
;
Huang, Chuanzhen
;
Wang, Jun
;
Jia, Zhixin
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/11
Single crystal 4H-SiC
Surface quality
Hybrid laser-waterjet
micromachining
Heat-affected zone (HAZ)
Recast layer
Oxidation
behavior
A scratching force model of diamond abrasive particles in wire sawing of single crystal SiC
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 68, 页码: 21-29
作者:
Wang, Peizhi
;
Ge, Peiqi
;
Li, Zongqiang
;
Ge, Mengran
;
Gao, Yufei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/12
Nano scratching
Single crystal SiC
Wire sawing
Indentation size
effect
Research on a processing model of CMP 6H-SiC (0001) single crystal wafer
期刊论文
半导体学报(英文版), 2014, 卷号: 35, 期号: 9
作者:
Zhang, Peng
;
Feng, Xianying
;
Yang, Jingfang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
CMP
SiC single crystal wafer
process parameters
orthogonal test design
Research on a processing model of CMP 6H-SiC(0001) single crystal wafer
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 09, 页码: 170-174
作者:
Zhang P(张鹏)
;
Feng XY(冯显英)
;
Yang JF(杨静芳)
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
CMP
SiC single crystal wafer
process parameters
orthogonal test design
Effects of Grain Size of Source Material on Growing 6H-SiC Bulk Crystal by Physical Vapor Transport
期刊论文
MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES, 2012, 卷号: 27, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 84-87
作者:
Shi, Yonggui
;
Dai, Peiyun
;
Yang, Jianfeng
;
Jin, Zhihao
;
Cheng, Jikuan
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/10
6H-SiC
Single crystal
Bulk crystal
Source material
Grain size
Physical vapor transport
Growth and characterization of semi-insulating SiC single crystal
期刊论文
Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals, 2012, 卷号: 41, 期号: SUPPL. 1, 页码: 166-169
作者:
Song, Sheng
;
Hu, Xiao-Bo
;
Xu, Xian-Gang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/23
Numerical simulation
Polytype
Semi-insulating
SiC single crystal
Sublimation
Reciprocating Friction and Wear Behavior of Zr(2) Al(Si) (4)C(5) and Zr(2) Al(Si) (4)C(5)-SiC Composite Against Si(3)N(4) Ball
期刊论文
Journal of the American Ceramic Society, 2010, 卷号: 93, 期号: 8, 页码: 2369-2376
L. Wu
;
L. F. He
;
J. X. Chen
;
X. P. Lu
;
Y. C. Zhou
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/04/13
thermoelectric properties
crystal-structure
single-crystals
bulk
zr2al3c4
oxidation
carbide
carbon
temperatures
hafnium
ti3sic2
Influence of seed crystal treatment processes on crystal growth condition during SiC physical vapor phase transportation growth
期刊论文
Kuei Suan Jen Hsueh Pao/Journal of the Chinese Ceramic Society, 2010, 卷号: 38, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1426-1429
作者:
Dai, Peiyun
;
Shi, Yonggui
;
Yang, Jianfeng
;
Liu, Guangliang
;
Cheng, Jikuan
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/10
Different treatments
Grinding and polishing
Growth conditions
Mechanical damages
Seed crystal
SiC single crystals
Transportation method
Treatment process
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