×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [3]
暨南大学 [2]
厦门大学 [1]
西安交通大学 [1]
内容类型
学位论文 [4]
其他 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2006 [2]
2005 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
PECVD法制备硅与碳化硅纳米线及其研究
学位论文
2015
作者:
潘树亮
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/02
关
键
词:PECVD
硅纳米线
碳化硅纳米线
气-液-固(VLS)生长原理
AAO模板
纳米柱4H-SiC雪崩光电二极管及PECVD法生长氢化非晶碳化硅的光电特性研究
学位论文
2011, 2011
洪荣墩
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2016/02/14
4H-SiC
纳米柱
雪崩光电二极管
等离子增强化学气相
氢化非晶碳化硅
4H-SiC
nano-pillar
avalanche photodiode
PECVD
a-Si1-xCx:H
PECVD SiC材料刻蚀技术
期刊论文
半导体学报, 2006
陈晟
;
李志宏
;
张国炳
;
郭辉
;
王煜
;
田大宇
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/12
PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率
PECVDSiC薄膜激光退火实验研究
其他
2006-01-01
罗睿
;
郭辉
;
张海霞
;
王煜
;
李素兰
;
张秀兰
;
张国炳
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/12
PECVD法 碳化硅薄膜 激光退火条件 电子器件 MEMS器件 机械特性
PECVD SiC材料刻蚀技术研究
其他
2005-01-01
陈晟
;
李志宏
;
张国炳
;
郭辉
;
王煜
;
田大宇
;
李素兰
;
边伟
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
PECVD碳化硅
反应离子刻蚀
电感耦合离子刻蚀
氢含量
功率
压强
刻蚀速率
太阳电池窗口层碳化硅薄膜掺杂研究
学位论文
作者:
许宝玉
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2019/12/17
太阳电池
碳化硅薄膜
窗口层
等离子体增强化学气相沉积/(PECVD/)
太阳电池窗口层碳化硅薄膜的研究
学位论文
作者:
司尚卓
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2019/12/17
太阳电池
碳化硅薄膜
窗口层
等离子体化学气相沉积(PECVD)
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace