×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京航空航天大学 [3]
北京大学 [2]
清华大学 [1]
厦门大学 [1]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2018 [2]
2017 [1]
2016 [1]
2014 [1]
2013 [1]
2005 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Variability Study of MWCNT Local Interconnects Considering Defects and Contact Resistances-Part I: Pristine MWCNT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 4955-4962
作者:
Chen, Rongmei
;
Liang, Jie
;
Lee, Jaehyun
;
Georgiev, Vihar P.
;
Ramos, Raphael
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Compact model
contact resistance
defects
Monte Carlo (MC) simulation
multiwalled carbon nanotubes (MWCNTs)
variability
Variability Study of MWCNT Local Interconnects Considering Defects and Contact Resistances-Part II: Impact of Charge Transfer Doping
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 4963-4970
作者:
Chen, Rongmei
;
Liang, Jie
;
Lee, Jaehyun
;
Georgiev, Vihar P.
;
Ramos, Raphael
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Charge transfer doping
defects
Fermi level
Monte Carlo (MC) simulation
multiwalled carbon nanotubes (MWCNTs)
variability
A Non-Monte-Carlo Methodology for Variability Analysis of Magnetic Tunnel Junction-Based Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2017, 卷号: 53
作者:
Wang, You
;
Cai, Hao
;
Naviner, Lirida Alves de Barros
;
Zhao, Weisheng
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Fast simulation model
magnetic tunnel junction (MJT)
MRAM
non-Monte Carlo (MC)
worst case corners
基于FVM数值分析的海工混凝土结构耐久可靠度MonteCarlo模拟
期刊论文
2016, 2016
周新刚
;
夏辉
;
李克非
;
ZHOU Xin-gang
;
XIA Hui
;
LI Ke-fei
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
Remote charge scattering: a full Coulomb interaction approach and its impact on silicon nMOS FinFETs with HfO2 gate dielectric
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2014
Wei KangLiang
;
Egley, James
;
Liu XiaoYan
;
Du Gang
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
carrier transport
full Coulomb interaction
gate dielectric
high-kappa
Monte Carlo (MC)
FinFET
remote charge scattering (RCS)
FIELD-EFFECT-TRANSISTORS
MONTE-CARLO-SIMULATION
OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
ELECTRON-MOBILITY
LIMITED MOBILITY
MOSFETS
DEGRADATION
STACKS
基于贝叶斯模型平均方法的中国通货膨胀的建模及预测
期刊论文
2013
陈伟
;
牛霖琳
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2016/05/17
贝叶斯模型平均
通货膨胀
蒙特卡洛模拟
MC~3
Bayesian Model Averaging
Inflation
Monte Carlo simulation
MC~3
Monte Carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum Boltzmann equation
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2005
Du, G
;
Liu, XY
;
Xia, ZL
;
Kang, JF
;
Wang, Y
;
Han, RQ
;
Yu, HY
;
Kwong, DL
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Ge-on-insulator (GOI)
Monte Carlo (MC) simulation
MOSFET
IMPACT-IONIZATION MODEL
ELECTRON-TRANSPORT
SEMICONDUCTORS
DEVICES
SI
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace