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Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Zhai, Peng-Fei
;
Cai, Li
;
Liu, Tao
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  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2021/12/09
Flash memories
Linear energy transfer
Single-event upset
Heavy ions
Geant4
Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6
作者:
Yin, Ya-nan
;
Liu, Jie
;
Liu, Tian-qi
;
Ye, Bing
;
Ji, Qing-gang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2022/01/19
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Retention errors
Single event upset
Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Liu, Tian-Qi
;
Ye, Bing
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2018/10/08
flash memories
heavy ions
synergistic effect
total ionizing dose
Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86
作者:
Hou, Mingdong
;
Zhao, Peixiong
;
Luo, Jie
;
Ji, Qinggang
;
Ye, Bing
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2018/05/31
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Multiple cell upsets
Radiation effects
DLV: Exploiting Device Level Latency Variations for Performance Improvement on Flash Memory Storage Systems
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2018, 卷号: 37, 页码: 1546-1559
作者:
Cui, Jinhua
;
Zhang, Youtao
;
Wu, Weiguo
;
Yang, Jun
;
Wang, Yinfeng
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/26
low-density parity-check code (LDPC)
Flash memories
retention age (RA)
raw bit error rate (RBER)
out-of-order scheduler
process variation (PV)
Improving Write Performance and Extending Endurance of Object-Based NAND Flash Devices
期刊论文
ACM TRANSACTIONS ON EMBEDDED COMPUTING SYSTEMS, 2018, 卷号: 17, 期号: 1,SI
作者:
Guo, Jie[1]
;
Min, Chuhan[2]
;
Cai, Tao[3]
;
Chen, Yiran[4]
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
NAND flash memories
write amplification
performance
A Design to Reduce Write Amplification in Object-based NAND Flash Devices
会议论文
International Conference on Hardware/Software Codesign and System Synthesis (CODES+ISSS), 2016-10-01
作者:
Guo, Jie[1]
;
Min, Chuhan[2]
;
Cai, Tao[3]
;
Chen, Yiran[4]
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
NAND flash memories
write amplification
An adaptive ECC scheme for dynamic protection of NAND Flash memories
会议论文
Brisbane, Australia, 19-24 April 2015
作者:
Yuan L(袁柳)
;
Liu HD(刘怀达)
;
Jia PG(贾品贵)
;
Yang YP(杨一平)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/16
Error Correcting Code
Flash Memories
Adaptive Protection
Software
Bch
Reliability-Based ECC System for Adaptive Protection of NAND Flash Memories
会议论文
Gwalior, 印度, 2015-04-04 - 2015-04-06
作者:
Yuan L(袁柳)
;
Liu HD(刘怀达)
;
Jia PG(贾品贵)
;
Yang YP(杨一平)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/16
Error Correcting Code(Ecc)
Flash Memories
Error Patterns
Reliability
Fault Tolerant
Rank-Modulation Rewrite Coding for Flash Memories.
期刊论文
IEEE Transactions on Information Theory, 2015, 卷号: Vol.61 No.8, 页码: 4209-4226
作者:
EnGad,Eyal
;
Bruck,Jehoshua
;
Jiang,AnxiaoAndrew
;
Yaakobi,Eitan
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/30
Ash
Demodulation
Electronic
mail
Encoding
flash
memories
Memory
management
permutations
of
multisets
rank
modulation
side-information
coding
WOM
codes
Writing
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