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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/17 Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   High-Voltage β-Ga 2 O 3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao Y.;  Li A.;  Feng Q.;  Hu Z.;  Feng Z. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Argon implantation  Edge termination  β-Ga 2 O 3 Schottky diode   High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/11 -Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   High-Voltage β-GaO Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Yangyang Gao;  Ang Li;  Qian Feng;  Zhuangzhuang Hu;  Zhaoqing Feng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/13 β-Ga2O3  Schottky  diode  Argon  implantation  Edge  termination   Fabrication of high quality SiGe virtual substrates by combining misfit strain and point defect techniques 期刊论文 2010, 2010 Liang Renrong; Wang Jing; Xu Jun 收藏  |  浏览/下载：5/0 Surface analysis of argon-implanted zircalloy-2 and influence of bubble formation on the corrosion behavior 期刊论文 2010, 2010 Peng, D. Q.; Bai, X. D.; Pan, F. 收藏  |  浏览/下载：5/0 Irradiation damage simulation of Zircaloy-4 using argon ions bombardment 期刊论文 2010, 2010 Peng, Dequan; Bai, Xinde; Pan, Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0 Irradiation simulation of zirconium using high energy argon implantation 期刊论文 2010, 2010 Peng, D. Q.; Bai, X. D.; Pan, F. 收藏  |  浏览/下载：4/0 The effect of argon ion implantation and preanodization argon ion implantation on Photoluminescence of porous silicon 会议论文 作者:  Lü, Xiao-Yi;  Xue, Tao;  Jia, Zhen-Hong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 Argon ion implantation  Non-radiative recombinations  Oxygen-related defects  Photoluminescence intensities  Photoluminescence mechanism  Photoluminescence properties  Porous structures  Silicon microstructures   Surface modification of polyethylene terephthalate implanted by argon ions 会议论文 作者:  Yang, SR;  Sun, YM;  Zhu, ZY;  Liu, WM;  Li, CL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/08/20 surface modification  argon ion implantation  polyethylene terephthalate