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Atomistic Insights on Surface Quality Control via Annealing Process in AlGaN Thin Film Growth
期刊论文
NANOMATERIALS, 8, 2023, 卷号: 13, 页码: 1382
作者:
Peng Q(彭庆)
;
Ma ZW(马知未)
;
Cai, Shixian
;
Zhao S(赵帅)
;
Chen, Xiaojia
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提交时间:2023/06/15
AlGaN thin film
molecular dynamics simulations
laser annealing
atomistic structure
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
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提交时间:2021/07/06
AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes
期刊论文
MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6
作者:
Sheikhi, Moheb
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2020/12/16
NITRIDE
PERFORMANCE
ALGAN/GAN
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 期号: 02, 页码: 49-57
作者:
Xu MS(徐明升)
;
Ge L(葛磊)
;
Han MM(韩明明)
;
Huang J(黄静)
;
Xu HY(徐化勇)
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提交时间:2019/12/11
solar-blind photodetector
AlGaN
Ga_2O_3
Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 49-57
作者:
Xu MS(徐明升)
;
Ge L(葛磊)
;
Han MM(韩明明)
;
Huang J(黄静)
;
Xu HY(徐化勇)
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
solar-blind photodetector
AlGaN
Ga_2O_3
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Two-dimensional analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a etched algan barrier layer
期刊论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, 2019
作者:
Guo, Haijun
;
Cao, Chao
;
Duan, Baoxing
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMTs
Analytical model
Electric field modulation
AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结 散射机制的影响
期刊论文
2019, 卷号: 68, 页码: 250-257
作者:
陈谦
;
李群
;
杨莺
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
InAlN/AlGaN/GaN异质结
合金无序散射
子带能级波动散射
导带波动散射
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