AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

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	AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
	贲建伟 ; 孙晓娟 ; 蒋科 ; 陈洋 ; 石芝铭 ; 臧行 ; 张山丽 ; 黎大兵 ; 吕威
刊名	人工晶体学报
	2020-11-15
卷号	49 期号:11 页码:2046-2067
关键词	AlGaN基材料外延生长掺杂紫外发光器件紫外探测
英文摘要	AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展。在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展。
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内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63982]
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.长春工业大学 2.中国科学院大学材料与光电研究中心 3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贲建伟,孙晓娟,蒋科,等. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J]. 人工晶体学报,2020,49(11):2046-2067.
APA	贲建伟.,孙晓娟.,蒋科.,陈洋.,石芝铭.,...&吕威.(2020).AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件.人工晶体学报,49(11),2046-2067.
MLA	贲建伟,et al."AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件".人工晶体学报 49.11(2020):2046-2067.