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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：272/0  |  提交时间：2019/07/15
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/07/15
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2018/07/20
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/06/26
部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 10, 页码: 394
作者:  王凯[1,2];  刘远[2];  陈海波[3];  邓婉玲[1];  恩云飞[2]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10
0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
罗杰馨
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2013/04/24
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:  李明;  余学峰;  薛耀国;  卢健;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/11/29
部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 4，65-68
作者:  刘梦新;  卜建辉;  胡爱斌;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/06/01
PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者:  毕津顺;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27
总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 5，619-623
作者:  郭天雷;  赵发展;  刘刚;  海潮和;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27

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