总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器 | |
郭天雷; 赵发展![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 功能材料与器件学报
![]() |
2008 | |
卷号 | 14期号:3页码:5,619-623 |
关键词 | 部分耗尽soi |
ISSN号 | 1007-4252 |
英文摘要 | 对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm。对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co^60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×10^6rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-27 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2000] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭天雷,赵发展,刘刚,等. 总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(3):5,619-623. |
APA | 郭天雷.,赵发展.,刘刚.,海潮和.,韩郑生.,...&张英武.(2008).总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器.功能材料与器件学报,14(3),5,619-623. |
MLA | 郭天雷,et al."总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器".功能材料与器件学报 14.3(2008):5,619-623. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论