总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器

	总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器
	郭天雷; 赵发展; 刘刚; 海潮和; 韩郑生; 袁国顺; 李素杰; 姜明哲; 张英武
刊名	功能材料与器件学报
	2008
卷号	14 期号:3 页码:5，619-623
关键词	部分耗尽soi
ISSN号	1007-4252
英文摘要	对辐照加固的部分耗尽（Partially Depleted）SOI 8位微控制器（MCU）的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm。对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co^60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×10^6rad（Si）,完全满足航空航天领域应用的要求。
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2000]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭天雷,赵发展,刘刚,等. 总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器[J]. 功能材料与器件学报,2008,14(3):5，619-623.
APA	郭天雷.,赵发展.,刘刚.,海潮和.,韩郑生.,...&张英武.(2008).总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器.功能材料与器件学报,14(3),5，619-623.
MLA	郭天雷,et al."总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器".功能材料与器件学报 14.3(2008):5，619-623.