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	部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性
	王凯[1,2]; 刘远[2]; 陈海波[3]; 邓婉玲[1]; 恩云飞[2]; 张平[1,2]
	2015
卷号	0期号:10页码:394
关键词	绝缘体上硅器件 部分耗尽 低频噪声 缺陷态
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4459081
专题	暨南大学
作者单位	1.[1]暨南大学信息科学与技术学院,广州510632 2.[2]工业和信息化部电子第五研究所、电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州510610 3.[3]中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡214035
推荐引用方式 GB/T 7714	王凯[1,2],刘远[2],陈海波[3],等. 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性[J],2015,0(10):394.
APA	王凯[1,2],刘远[2],陈海波[3],邓婉玲[1],恩云飞[2],&张平[1,2].(2015).部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性.,0(10),394.
MLA	王凯[1,2],et al."部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性".0.10(2015):394.

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