部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 | |
王凯[1,2]; 刘远[2]; 陈海波[3]; 邓婉玲[1]; 恩云飞[2]; 张平[1,2] | |
2015 | |
卷号 | 0期号:10页码:394 |
关键词 | 绝缘体上硅器件 部分耗尽 低频噪声 缺陷态 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4459081 |
专题 | 暨南大学 |
作者单位 | 1.[1]暨南大学信息科学与技术学院,广州510632 2.[2]工业和信息化部电子第五研究所、电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州510610 3.[3]中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡214035 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凯[1,2],刘远[2],陈海波[3],等. 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性[J],2015,0(10):394. |
APA | 王凯[1,2],刘远[2],陈海波[3],邓婉玲[1],恩云飞[2],&张平[1,2].(2015).部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性.,0(10),394. |
MLA | 王凯[1,2],et al."部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性".0.10(2015):394. |
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