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科研机构
新疆理化技术研究所 [2]
北京大学 [1]
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期刊论文 [3]
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2018 [1]
2017 [1]
2007 [1]
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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
余德昭
;
周航
;
苏丹丹
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/07/06
65nm
负偏压温度不稳定性
沟道宽度
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
余徳昭
;
周航
;
苏丹丹
收藏
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浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2018/01/18
纳米器件
P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
负偏压温度不稳定性
用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性
期刊论文
中国集成电路, 2007
贾高升
;
许铭真
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
超薄栅氧化层
负偏压温度不稳定性(NBTI)
退化
恢复效应
PMOSFET
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