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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 期刊论文 2015, 卷号: 0, 期号: 10, 页码: 394 作者:  王凯[1,2];  刘远[2];  陈海波[3];  邓婉玲[1];  恩云飞[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 绝缘体上硅器件  部分耗尽  低频噪声  缺陷态   微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计 期刊论文 2015, 页码: 71-75 作者:  冯松;  高勇;  薛斌 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 光子器件  弯曲光波导  微纳米  锗硅绝缘体上硅  弯曲损耗   亚微米硅基波导光学相位调制器的优化分析 期刊论文 激光与光电子学进展, 2012, 页码: 165-171 作者:  董正芳;  周震;  王坤博;  冯丽爽 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06 光学器件  光学相位调制器  绝缘体上硅  亚微米波导  PIN结构   源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件   PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 贺威 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上硅（SOI）  　总剂量辐射效应  　器件模型　   0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究 期刊论文 半导体技术, 2007, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 4,490_493 作者:  海潮和;  毕津顺 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅  Cmos器件  环振电路   压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜 期刊论文 半导体学报, 2003, 期号: 06 郭方敏; 朱自强; 赖宗声; 朱守正; 朱荣锦; 忻佩胜; 范忠; 贾铭; 程知群; 杨根庆 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/01/06 场效应器件  绝缘体上硅(SOI)  局域注氧  浮体效应  自热效应