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2016 [1]
2003 [2]
2002 [2]
1993 [1]
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热载流子应力和总剂量效应对双极型器件电磁敏感性的影响研究
学位论文
2016
作者:
熊涔
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
热载流子应力
总剂量效应
电磁敏感性
双极型晶体管
双极型运算放大器
超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制
期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇
;
霍宗亮
;
王金延
;
毛凌锋
;
王子欧
;
谭长华
;
许铭真
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
应力感应漏电流
热载流子应力
超薄栅氧化层
MOS器件
SILC
hot carrier stress
ultra-thin gate oxide
MOSFET
一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法
期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇
;
毛凌锋
;
王金延
;
霍宗亮
;
王子欧
;
许铭真
;
谭长华
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/10/23
热载流子应力
LDD结构
超薄栅氧化层
两步退化机制
hot-carrier stress
LDD
ultra-thin gate oxide
two-step degradation
新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究
期刊论文
半导体学报, 2002
何进
;
张兴
;
黄如
;
王阳元
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
热载流子应力效应
界面陷阱
界面电荷R-G电流
栅控二极管
SOI NMOSFET
SOI-NMOS device
hot-carrier-effect
interfa
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
期刊论文
电子学报, 2002
何进
;
张兴
;
黄如
;
王阳元
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/10/23
热载流子应力效应
界面陷阱
R-G电流
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究
期刊论文
半导体学报, 1993
程玉华
;
李瑞伟
;
李志坚
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提交时间:2015/11/16
热载流子
空穴注入
应力条件
电子注入
特性实验
界面态
栅氧化层
器件模拟
器件特性
MOSFET&apos
s
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