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The state of the art in kidney and kidney tumor segmentation in contrast-enhanced CT imaging: Results of the KiTS19 challenge
期刊论文
MEDICAL IMAGE ANALYSIS, 2021, 卷号: 67, 页码: 16
作者:
Heller, Nicholas
;
Isensee, Fabian
;
Maier-Hein, Klaus H.
;
Hou, Xiaoshuai
;
Xie, Chunmei
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/12/01
Semantic segmentation
Computed tomography
Kidney tumor
Numerical study for energy harvesting of the tandem wavy cylinders in cross flow (Open Access)
会议论文
作者:
Zou, Lin
;
Yang, Yaozong
;
Xu, Jinli
;
Wang, Miao
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/05
High f(T) AlGa(In)N/GaN HEMTs Grown on Si With a Low Gate Leakage and a High ON/OFF Current Ratio
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者:
Zhu, Guangrun
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Sun, Qian(孙钱)
;
Chen, Tangsheng
;
Yang, Hui(杨辉)
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2019/03/27
On-wafer fabrication of cavity mirrors for InGaN-based laser diode grown on Si
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018
作者:
He, Junlei(何俊蕾)
;
Feng, Meixin(冯美鑫)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin(王锦)
;
Zhou, Rui
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2019/03/27
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:
Dai, Shujun(戴淑君)
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2019/03/27
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017
作者:
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Dai, Shujun
;
He, Junlei
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2018/02/05
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017
作者:
Zhong, Yaozong
;
Yu Zhou
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Dai, Shujun(戴淑君)
;
He, Junlei(何俊蕾)
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2018/02/06
p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346
作者:
Zhou, Yu[1]
;
Zhong, Yaozong[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/04/24
Enhancement-mode
HEMT
p-GaN gate
self-terminated etching
Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824
作者:
Zhong, Yaozong[1]
;
Yu Zhou[2]
;
Gao, Hongwei[3]
;
Dai, Shujun[4]
;
He, Junlei[5]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/24
AlGaN/GaN
Etching self-termination
Enhancement-mode HEMT
TOF-SIMS
XPS
M-shell X-ray production induced by H~(1+) and He~(2+) on Au
期刊论文
Scientia Sinica Physica, Mechanica & Astronomica, 2016, 卷号: 46, 页码: 73006
作者:
Yang Zhihu
;
Xiao Guoqing
;
Li Fuli
;
Zhang Xiaoan
;
Mei Cexiang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/04/01
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