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长春光学精密机械与物... [2]
半导体研究所 [1]
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期刊论文 [3]
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2021 [2]
2011 [1]
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On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16
作者:
P. Steindl
;
E. M. Sala
;
B. Alen
;
D. Bimberg and P. Klenovsky
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提交时间:2022/06/13
Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots
期刊论文
Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13
作者:
R. S. R. Gajjela
;
A. L. Hendriks
;
J. O. Douglas
;
E. M. Sala
;
P. Steindl
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提交时间:2022/06/13
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled gaas/alxga1-xas and inxga1-xas/gaas quantum dots
期刊论文
Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Plumhof, J. D.
;
Krapek, V.
;
Ding, F.
;
Joens, K. D.
;
Hafenbrak, R.
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提交时间:2019/05/12
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