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	Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs 其他 2017-01-01 Di, Shaoyan; Shen, Lei; Lun, Zhiyuan; Chang, Pengying; Zhao, Kai; Lu, Tiao; Du, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 Boltzmann transport equation GaSb surface orientation double gate MOBILITY MOSFETS
	Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs 其他 2017-01-01 Di Shaoyan; Shen Lei; Lun Zhiyuan; Chang Pengying; Zhao Kai; Lu Tiao; Du Gang; Liu Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 Boltzmann transport equation GaSb surface orientation double gate
	Evaluation of Ballistic Transport in III-V-Based p-Channel MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Di, Shaoyan; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/03 III-V semiconductors ballistic transport eight-band k . p GaSb InSb orientation pMOSFETs strain effect SURFACE ORIENTATION HOLE MOBILITY MODEL
	Investigation of Scattering Mechanism in Nano-Scale Double Gate In0.53Ga0.47As nMOSFETs by a Deterministic BTE Solver 其他 2016-01-01 Di, Shaoyan; Lun, Zhiyuan; Chang, Pengying; Shen, Lei; Zhao, Kai; Lu, Tiao; Du, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 Boltzmann transport equation (BTE) InGaAs double gate scattering MOSFETS SEMICONDUCTORS TRANSPORT
	Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Wei, Kangliang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 Hole mobility InSb modeling MOSFETs scattering self-consistent six-band k . p ultrathin body (UTB) V COMPOUND SEMICONDUCTORS INVERSION-LAYER MOBILITY DEFORMATION POTENTIALS SURFACE ORIENTATION QUANTUM-WELLS ON-INSULATOR BAND THICKNESS PHYSICS
	Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03 V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON-INSULATOR SI PHYSICS ALLOYS GE
	Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 Surface orientation Strain Hole mobility InSb III-V semiconductor Modeling V COMPOUND SEMICONDUCTORS DEFORMATION POTENTIALS INVERSION-LAYERS
	Assessment of hole mobility in strained InSb, GaSb and InGaSb based ultra-thin body pMOSFETs with different surface orientations 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Du, Gang; Zhang, Xing 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 期刊论文 44th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 Surface orientation Strain Hole mobility InSb III-V semiconductor Modeling V COMPOUND SEMICONDUCTORS DEFORMATION POTENTIALS INVERSION-LAYERS
	Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/04 V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON-INSULATOR SI PHYSICS ALLOYS GE

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