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碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者:  1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
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