碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 | |
1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣 | |
2012 | |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
专利号 | 201010565049.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2013-01-14 |
申请日期 | 2010 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/6867] |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣. 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法. 201010565049.3. 2012-01-01. |
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