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1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214
作者:
Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]
;
Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2022/04/07
Total ionizing dose irradiation
UTBB FD-SOI
1
f noise
Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1]
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法
专利
申请日期: 2021-02-19,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/02
一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法
专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
李小龙
;
魏莹
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/12/02
一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
李小龙
;
魏莹
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/12/02
Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
;
He, CF (He, Chengfa) 1
;
Guo, Q (Guo, Qi) 1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/12/06
Threshold voltage
TestingMOSFET circuits
Transistors
Standards
Logic gates
Fluctuations
Buried oxide (BOX)
silicon-on-insulator (SOI)
total ionizing dose (TID)
一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法
专利
申请日期: 2020-04-14,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
陆妩
;
孙静
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/11/25
一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统
专利
申请日期: 2020-03-24,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
陆妩
;
孙静
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2020/11/25
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
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