22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究

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	22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
	王保顺 ; 崔江维 ; 郑齐文 ; 席善学 ; 魏莹 ; 雷琪琪 ; 郭旗
刊名	固体电子学研究与进展
	2020
卷号	40 期号:5 页码:384-388
关键词	鳍式场效应晶体管热载流子注入效应总剂量效应
ISSN号	1000-3819
英文摘要	为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7440]
专题	新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
通讯作者	郭旗
作者单位	1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.新疆电子信息材料与器件重点实验室 4.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王保顺,崔江维,郑齐文,等. 22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究[J]. 固体电子学研究与进展,2020,40(5):384-388.
APA	王保顺.,崔江维.,郑齐文.,席善学.,魏莹.,...&郭旗.(2020).22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究.固体电子学研究与进展,40(5),384-388.
MLA	王保顺,et al."22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究".固体电子学研究与进展 40.5(2020):384-388.