| 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 | |
| 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 陆妩; 孙静; 李豫东; 郭旗 | |
| 2020-04-14 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于阈值电压类型匹配的6‑T存储单元抗总剂量加固方法，该方法包括晶体管总剂量辐照试验、建立晶体管辐射损伤与阈值电压类型映射关系、确定上拉PMOSFET阈值电压类型、确定下拉NMOSFET及传输NMOSFET阈值电压类型、电路仿真验证。该方法的理论基础是不同阈值电压类型晶体管的辐射损伤程度不同。该方法的优势在于无需改变制造工艺条件以及版图设计，实现6‑T存储单元低成本、高性能的抗总剂量加固。 |
| 申请日期 | 2019-11-30 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7598]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑齐文,崔江维,余学峰,等. 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法. 2020-04-14. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论