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Device scaling considerations for sub-90-nm 2-bit/cell split-gate flash memory cell 期刊论文
Solid-State Electronics, 2019, 卷号: 152, 页码: 46-52
作者:  Xu, Zhaozhao;  Liu, Donghua;  Hu, Jun;  Chen, Wenjie;  Qian, Wensheng
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Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei
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A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文
Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69
作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/09
Design of an ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter with sio2 top cladding 期刊论文
Chinese optics letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 5
作者:  Chen, Xin;  Qiu, Chao;  Sheng, Zhen;  Wu, Aimin;  Huang, Haiyang
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Single-event transient characterization of a radiation-tolerant charge-pump phase-locked loop fabricated in 130 nm pd-soi technology 期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 4, 页码: 2402-2408
作者:  Chen, Zhuojun;  Lin, Min;  Zheng, Yunlong;  Wei, Zuodong;  Huang, Shuigen
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Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文
Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Zheng Yunlong;  Dai Ruofan;  Chen Zhuojun;  Sun Shulong;  Wang Zheng
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一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 专利
专利号: CN102904159A, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
作者:  盛振;  王智琪;  甘甫烷;  武爱民;  王曦
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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
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0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13
Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET 期刊论文
Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 6
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX; Shao, Hua; Chen, M; Bi, Dawei; Ning, Bingxu; Zou, SC
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