|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 液相成長装置およびそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3664449B2, 申请日期: 2005-04-08, 公开日期: 2005-06-29
作者: 石住 隆司
  收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3142634B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07
作者: 森本 泰司; 石住 隆司
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1995022697A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
作者: 森本 泰司; 石住 隆司; 兼岩 進治; 林 寛
收藏 | 浏览/下载：36/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 光半導体装置 专利
专利号: JP1993304313A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者: 大島 昇; 森本 泰司; 石住 隆司; 林 寛; 上田 禎亮
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子およびその作製方法 专利
专利号: JP1993291696A, 申请日期: 1993-11-05, 公开日期: 1993-11-05
作者: 石住 ▲隆▼司; 竹川 浩; 森本 泰司
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1993037072A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者: 森本 泰司; 石住 隆司
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/13 |
