| 液相成長装置およびそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法 | |
| 石住 隆司 | |
| 2005-04-08 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3664449B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 液相成長装置およびそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造工程を増加させることなく熱処理および熱損傷層の除去を行って亜鉛の活性化率を向上させる。 【構成】 N型GaAs基板11上に有機金属気相成長法により半導体レーザ素子の主要部(N型クラッド層13、活性層14、P型クラッド層15など)を形成し、選択エッチングによりチャンネル溝22を形成する。その後、不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う予備室と、液相成長により半導体層を形成する成長室とを備えた液相成長装置を用いて、予備室内で熱処理を行い、引き続いて成長室内でP型クラッド層19さらにP型キャップ層20を成長させる。この液相成長により再成長を行っているので、亜鉛を活性化させるための熱処理により熱損傷を受けた最表面(熱損傷層)23がメルトバックされる。また、予備室と成長室とを備えた液相成長装置を用いているので、熱処理工程と再成長工程とを同一の液相成長装置内で連続して行うことができる。 |
| 公开日期 | 2005-06-29 |
| 申请日期 | 1994-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42160]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石住 隆司. 液相成長装置およびそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法. JP3664449B2. 2005-04-08. |
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