| 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| 森本 泰司; 石住 隆司; 兼岩 進治; 林 寛 | |
| 1995-01-24 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1995022697A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子を構成する結晶中に添加された不純物の内部拡散を抑えることにより、高い信頼性を有する半導体レーザ素子とする。 【構成】 Alを含む結晶から構成され、活性層3を含む共振器の光出射端面2に、活性層3を構成する結晶よりもバンドギャップの大きい結晶からなる端面成長層4が形成されている。この端面成長層4は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法により、500℃以下の成長温度で成長されたものである。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84352]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 泰司,石住 隆司,兼岩 進治,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1995022697A. 1995-01-24. |
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