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GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫

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GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫

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具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 专利
申请日期: 2018-08-10,
作者: 张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉

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具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法 专利
专利号: 201410408878.9, 申请日期: 2017-12-19,
作者: 周坤; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉

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光學半導體元件封裝體 专利
专利号: TW201735479A, 申请日期: 2017-10-01, 公开日期: 2017-10-01
作者: 池田巧; 海沼正夫; 木村康之; 姜昌薰; 姜泰旭

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用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 专利
专利号: CN106783978A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧

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GaAs隧道结及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN103367480B, 申请日期: 2016-04-27,
作者: 甘兴源; 郑新和; 吴渊渊; 王海啸; 王乃明

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激光二极管 专利
专利号: CN102403650B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 横山弘之; 河野俊介; 大木智之; 池田昌夫; 宫嶋孝夫

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锁模半导体激光器件及其驱动方法 专利
专利号: CN102195232B, 申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
作者: 大木智之; 仓本大; 池田昌夫; 宫岛孝夫; 渡边秀辉

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二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法 专利
专利号: CN102856788A, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者: 渡边秀辉; 宫岛孝夫; 池田昌夫; 大木智之; 仓本大

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