具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 | |
张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉 | |
2018-08-10 | |
国家 | 中国 |
其他题名 | 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 |
申请日期 | 2015-02-09 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6436] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉. 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法. 2018-08-10. |
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