| 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 | |
| 田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 | |
| 2017-05-31 | |
| 著作权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 专利号 | CN106783978A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层，其包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的不掺杂的u型GaN层；在所述u型GaN层上的p型AlGaN厚层；在所述p型AlGaN厚层上的Al组分渐变的p型AlGaN层；在所述Al组分渐变的p型AlGaN层上的重掺杂的p型GaN层。本发明还公开一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层的制备方法。本发明采用Al组分渐变的p型AlGaN层和重掺杂的p型GaN层作为欧姆接触层的I‑V曲线具有良好的线性关系，在获得良好的欧姆接触性能的同时，消除了p型AlGaN厚层与重掺杂的p型GaN层之间的极化电荷，从而在进行霍尔测试时，获得准确的测试结果。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2016-09-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92075]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田爱琴,刘建平,池田昌夫,等. 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法. CN106783978A. 2017-05-31. |
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