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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体レーザ装置の製造方法 专利 专利号: JP3766738B2, 申请日期: 2006-02-03, 公开日期: 2006-04-19 作者:  田中 俊明;  百瀬 正之;  比留間 健之 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利 专利号: JP1999274635A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08 作者:  田中 俊明;  比留間 健之;  濱田 博 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム 专利 专利号: JP1999261165A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24 作者:  比留間 健之;  百瀬 正之;  浜田 博 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光素子の製造方法 专利 专利号: JP1999135875A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 作者:  百瀬 正之;  田中 俊明;  比留間 健之 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置およびその製造方法 专利 专利号: JP1998335745A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  比留間 健之;  中塚 慎一;  田中 俊明;  濱田 博 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利 专利号: JP1995012100B2, 申请日期: 1995-02-08, 公开日期: 1995-02-08 作者:  福沢 董;  山田 栄三郎;  比留間 健之;  松村 宏善 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ 专利 专利号: JP1994260721A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16 作者:  宇佐川 利幸;  矢沢 正光;  比留間 健之 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13