| 半導体発光装置 | |
| 田中 俊明; 比留間 健之; 濱田 博 | |
| 1999-10-08 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1999274635A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、光情報処理或いは光通信システム用途において、高出力特性と同時に低閾値高効率動作を確保できる半導体発光装置を提供することが課題である。 【解決手段】 半導体結晶の均質性を向上させるために使用する傾角基板上に、さらに超格子構造を導入することにより量子井戸構造の平坦性や界面急峻性を改善させた活性層構造とする。また、量子井戸構造の設計裕度をもたせることにより、キャリア閉じ込め及び光閉じ込めを向上させた構成とする。 【効果】 本発明の実施例によると、本手法を適用しない素子に比べて閾値電流及びスロープ効率ともに20〜30%改善でき、窓構造を設けない素子に比べて最高光出力を2.5から4倍にまで向上した高出力特性を達成した半導体レーザ素子を実現した。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88939]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 俊明,比留間 健之,濱田 博. 半導体発光装置. JP1999274635A. 1999-10-08. |
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