| 半導体レーザ | |
| 宇佐川 利幸; 矢沢 正光; 比留間 健之 | |
| 1994-09-16 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP1994260721A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 低しきい値、高利得、高緩和振動数で、細線寸法バラツキに強い半導体レーザを実現する素子構造を提供する。 【構成】図3に示すように、変調ドープ構造の一次元電子ガスと一次元正孔ガスのpn接合を量子細線構造の半導体レーザの活性層にもちいる。細線寸法バラツキに強い半導体レーザを実現する素子構造を提供することで、低しきい値、高利得、高緩和振動数を実現する。 【効果】 低しきい値として100 μA、高緩和振動数として70GHzを実現できる。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1993-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇佐川 利幸,矢沢 正光,比留間 健之. 半導体レーザ. JP1994260721A. 1994-09-16. |
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