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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ZnSe系化合物半導体発光素子 专利 专利号: JP2000307150A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02 作者:  片山 浩二;  三枝 明彦;  松原 秀樹;  武部 敏彦 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 专利 专利号: JP2509006B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-06-19 作者:   收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 面発光素子とその製造方法 专利 专利号: JP1995079183B2, 申请日期: 1995-08-23, 公开日期: 1995-08-23 作者:  藤井 元忠;  山本 悌二;  繁田 光浩;  武部 敏彦;  小林 規矩男 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 III-V族化合物半導体膜の形成方法 专利 专利号: JP1994069129A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11 作者:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  藤田 和久;  小林 規矩男 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31