| 面発光素子とその製造方法 | |
| 藤井 元忠; 山本 悌二; 繁田 光浩; 武部 敏彦; 小林 規矩男; 藤本 勲 | |
| 1995-08-23 | |
| 著作权人 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 专利号 | JP1995079183B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流の閉じ込め用横方向p-n接合を用いた構造が簡単で製造が容易な面発光素子を提供することである。また、電流の閉じ込め用p-n接合を簡単に形成することができ、簡単なプロセスにより面発光素子を製造することができる面発光素子の製造方法を提供することである。 【構成】 III-V族化合物半導体(111)A基板を用いた面発光素子である。III-V族化合物半導体(111)A基板は、その基板面に形成された正三角形状の領域とその周囲の領域との間に段差を有する。そして、このIII-V族化合物半導体(111)A基板上に、分子線エピタキシー (MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体層を成長させることにより、III-V族化合物半導体(111)A基板の平坦面でp型の伝導型を有し、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型を有する電流閉じ込め用の横方向p-n接合を形成し、この横方向p-n接合で活性層を取り囲んでいる。 |
| 公开日期 | 1995-08-23 |
| 申请日期 | 1991-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 元忠,山本 悌二,繁田 光浩,等. 面発光素子とその製造方法. JP1995079183B2. 1995-08-23. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论