| III-V族化合物半導体膜の形成方法 | |
| 武部 敏彦; 藤井 元忠; 山本 悌二; 藤田 和久; 小林 規矩男 | |
| 1994-03-11 | |
| 著作权人 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 专利号 | JP1994069129A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体膜の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 MBE法を用いてIII-V族化合物半導体膜の結晶を段差を有する基板上に成長させるときに余分なファセットが出現せず、しかも元の段差の傾斜部の角度を保持して結晶を成長させることができる方法を提供する。 【構成】 GaAs基板の(111)A面上に正三角形状のレジストパターンの1辺がGaAs基板の劈開面に対して垂直な方向に平行となるようにレジストマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成されたGaAs基板に対して選択エッチング処理を行って、その各辺の近傍に(111)A面に対して28°≦θ≦33°の範囲の傾斜角θだけ傾斜する斜面を有する段差を形成し、マスクパターンを除去し、GaAs基板及び斜面上にMBE法を用いてIII-V族化合物半導体膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 申请日期 | 1992-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59803]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武部 敏彦,藤井 元忠,山本 悌二,等. III-V族化合物半導体膜の形成方法. JP1994069129A. 1994-03-11. |
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