QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates 期刊论文 中国物理快报：英文版, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 955-958 作者:  杨莺歌[1];  马洪磊[2];  马瑾[2];  张亚非[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/03 氮化镓薄膜  砷化镓基层  光电子材料  半导体材料  X射线衍射分析  束缚能   GaN纳米结构的制备 期刊论文 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 455-457 作者:  马洪磊 [1];  杨莺歌 [1];  薛成山 [2];  马瑾 [1];  肖洪地 [1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 GaN  纳米结构  制备  后氮化技术   Preparation and properties of GaN films on Si(111) substrates 期刊论文 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 173-177 作者:  杨莺歌[1];  马洪磊[1];  郝晓涛[1];  马瑾[1];  薛成山[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 photoluminescence,  gallium  nitride  films,  Si  (111).   溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质 期刊论文 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 387-390 作者:  杨莺歌[1];  薛成山[2];  等 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 溅射  退火  GaN薄膜  结构  光致发光  氮化镓(110)晶面   GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究 会议论文 厦门, 2002年10月01日 作者:  杨莺歌 [1];  马洪磊 [1];  郝晓涛 [1];  马瑾 [1];  薛成山 [2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 光致发光  退火反应法  薄膜制备  氮化镓薄膜  薄膜特性   在Si（111）上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应 期刊论文 2002, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 593-598 作者:  安霞[1];  杨莺歌[2];  等 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 磁控溅射  碳化硅  薄膜  氢退火  碳纳米线碳化硅   Si（111）衬底GaN薄膜的制备与特性 期刊论文 2002, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1102-1105 作者:  杨莺歌[1];  马洪磊[1];  郝晓涛[1];  马瑾[1];  薛成山[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 Si(111)衬底  GaN薄膜  制备  光致发光  氮化镓薄膜  硅衬底  溅射后退火反应法  半导体材料