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	GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究
	杨莺歌 [1]; 马洪磊 [1]; 郝晓涛 [1]; 马瑾 [1]; 薛成山 [2]; 庄惠照 [2]
	2002
会议日期	2002年10月01日
会议地点	厦门
关键词	光致发光 退火反应法 薄膜制备 氮化镓薄膜 薄膜特性
会议录	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6415113
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东大学物理与微电子学院 2.[2]山东师范大学半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨莺歌 [1],马洪磊 [1],郝晓涛 [1],等. GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究[C]. 见:. 厦门. 2002年10月01日.

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