| Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates | |
| 杨莺歌[1]; 马洪磊[2]; 马瑾[2]; 张亚非[1] | |
| 刊名 | 中国物理快报：英文版
 |
| 2004 | |
| 卷号 | 21期号:5页码:955-958 |
| 关键词 | 氮化镓薄膜 砷化镓基层 光电子材料 半导体材料 X射线衍射分析 束缚能 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6344829 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | KeyLaboratoryforThinFilmandMicrofabricationofMinistryofEducation,ResearchInstituteforMicro/NanometerScienceandTechnology,ShanghaiJiaoTo |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨莺歌[1],马洪磊[2],马瑾[2],et al. Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates[J]. 中国物理快报：英文版,2004,21(5):955-958. |
| APA | 杨莺歌[1],马洪磊[2],马瑾[2],&张亚非[1].(2004).Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates.中国物理快报：英文版,21(5),955-958. |
| MLA | 杨莺歌[1],et al."Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates".中国物理快报：英文版 21.5(2004):955-958. |
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