Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates | |
杨莺歌[1]; 马洪磊[2]; 马瑾[2]; 张亚非[1] | |
刊名 | 中国物理快报:英文版
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2004 | |
卷号 | 21期号:5页码:955-958 |
关键词 | 氮化镓薄膜 砷化镓基层 光电子材料 半导体材料 X射线衍射分析 束缚能 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6344829 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | KeyLaboratoryforThinFilmandMicrofabricationofMinistryofEducation,ResearchInstituteforMicro/NanometerScienceandTechnology,ShanghaiJiaoTo |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨莺歌[1],马洪磊[2],马瑾[2],et al. Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates[J]. 中国物理快报:英文版,2004,21(5):955-958. |
APA | 杨莺歌[1],马洪磊[2],马瑾[2],&张亚非[1].(2004).Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates.中国物理快报:英文版,21(5),955-958. |
MLA | 杨莺歌[1],et al."Preparation and Properties of GaN Films on GaAs Substrates".中国物理快报:英文版 21.5(2004):955-958. |
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