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Determination of the number of ψ(3686)events at BESⅢ 期刊论文
Chinese Physics C, 2018, 卷号: 第42卷 第2期, 页码: 7-17
作者:  Mai DN(麦迪娜);  M.N.Achasov;  Ai XC(艾小聪);  D.J.Ambrose;  A.Amoroso
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2019/12/26
杨家洞水库渗漏条件分析及渗漏量估算 期刊论文
海洋湖沼通报, 2016, 期号: 5, 页码: 69-77
作者:  郝玉培;  缪雄谊;  韩宗珠;  阳莲锦;  付仕科
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2018/11/12
Vertically conducting deep-ultraviolet light-emitting diodes with interband tunneling junction grown on 6H-SiC substrate 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 页码: -
作者:  Liang, Hongwei;  Tao, Pengcheng;  Xia, Xiaochuan;  Chen, Yuanpeng;  Zhang, Kexiong
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09
一种用于风电变流器可靠性评估的结温数值计算方法 A Junction Temperature Numerical Calculation Method for Reliability Evaluation in Wind Power Converters 期刊论文
2015, 卷号: 35, 页码: 2813-2821
作者:  杜雄[1]
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28
非平稳工况下风电变流器的热载荷分析 Transient Thermal Analysis of Wind Power Converters Under Non-steady Operation Conditions 期刊论文
2015, 卷号: 49, 页码: 67-70
作者:  吴军科[1];  周雒维[1];  杜雄[1];  孙鹏菊[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/29
IGBT模块寿命预测模型综述 An Overview of IGBT Life Prediction Models 期刊论文
2014, 卷号: 0, 页码: 14-21
作者:  方鑫[1];  周雒维[1];  姚丹[1];  杜雄[1];  孙鹏菊[1]
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28
基于虚拟仪器的IGBT电气参数自动测试系统 Automatic Test System of IGBT Electrical Parameters Based on Virtual Instrument 期刊论文
2014, 页码: 27-34
作者:  姚丹[1];  周雒维[1];  方鑫[1];  杜雄[1];  孙鹏菊[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/29
The influence of reactor height adjustment on properties in GaN films grown on 6H-SiC by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Materials Science. Materials in Electronics, 2014, 卷号: Vol.25 No.10, 页码: 4268-4272
作者:  Pengcheng Tao;  Hongwei Liang;  Xiaochuan Xia;  Qiuju Feng;  Dongsheng Wang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/02/27
Crack-free AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors synthesized by insertion of a thin SiN interlayer grown on 6H-SiC substrate by metal–organic chemical vapor deposition 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 卷号: Vol.27, 页码: 841-845
作者:  Pengcheng Tao;  Hongwei Liang;  Dongsheng Wang;  Xiaochuan Xia;  Qiuju Feng
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/02/27
Improving the quality of GaN epilayer by preparing a novel patterned sapphire substrate 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 卷号: 25, 页码: 267-272
作者:  Yang, Dechao;  Liang, Hongwei;  Qiu, Yu;  Shen, Rensheng;  Liu, Yang
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