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Impact of Thickness on Contact Issues for Pinning Effect in Black Phosphorus Field-Effect Transistors 期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28, 期号: 26
作者:  Jiang, Bei;  Zou, Xuming;  Su, Jie;  Liang, Jinghua;  Wang, Jingli
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Measurement of the integrated Luminosities of cross-section scan data samples around the ψ mass region 期刊论文
统计研究, 2018, 卷号: 第6期, 页码: 5-12
作者:  Mai DN(麦迪娜);  M.N.Achasov;  S.Ahmed;  M.Albrecht;  M.Alekseev
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Metallic vanadium disulfide nanosheets as a platform material for multifunctional electrode applications 期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: 17, 期号: 8
作者:  Ji, Qingqing;  Li, Cong;  Wang, Jingli;  Niu, Jingjing;  Gong, Yue
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Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2Transistors 期刊论文
Advanced Functional Materials, 2017, 卷号: 27, 期号: 19
作者:  Yang, Zhenyu;  Liu, Xingqiang;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli;  Ma, Chao
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Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2 Transistors 期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017, 卷号: 27, 期号: 19
作者:  Yang, Zhenyu;  Liu, Xingqiang;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli;  Ma, Chao
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05
Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2 Transistors 期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017, 卷号: 27, 期号: 19
作者:  Yang, Zhenyu;  Liu, Xingqiang;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli;  Ma, Chao
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05
Metallic Vanadium Disulfide Nanosheets as a Platform Material for Multifunctional Electrode Applications 期刊论文
NANO LETTERS, 2017, 卷号: 17, 期号: 8
作者:  Zhang, Zhepeng;  Gong, Yue;  Zhang, Yanfeng;  Ji, Qingqing;  Liu, Zhongfan
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/05
Performance Limits of the Self-Aligned Nanowire Top-Gated MoS2Transistors 期刊论文
Advanced Functional Materials, 2017, 卷号: 27, 期号: 19
作者:  Pan, Caofeng;  Xiao, Xiangheng;  Xiong, Jie;  Liao, Lei;  Jiang, Changzhong
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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Wang, Jingli;  Zou, Xuming;  Zhang, Kai;  Guo, Yaxiong;  Li, Yi
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Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli
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