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| エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス 专利
专利号: JP3747125B2, 申请日期: 2005-12-02, 公开日期: 2006-02-22
作者: 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆
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| 横向磊晶形成磊晶层的方法 专利
专利号: CN1501517A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
作者: 寺嶋一高; 章烱煜; 赖穆人
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| 磊晶层的成长方法 专利
专利号: CN1489221A, 申请日期: 2004-04-14, 公开日期: 2004-04-14
作者: 寺嶋一高; 章烱煜; 赖穆人
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| 发光二极体结构 专利
专利号: CN1489223A, 申请日期: 2004-04-14, 公开日期: 2004-04-14
作者: 寺嶋一高; 章烱煜; 徐顺弘
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| III族窒化物半導体素子 专利
专利号: JP2000004046A, 申请日期: 2000-01-07, 公开日期: 2000-01-07
作者: 寺嶋 一高; 宇田川 隆
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| エピタキシャルウェハおよびその製造方法 专利
专利号: JP1999162848A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者: 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆
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