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窒化物系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法 专利
专利号: JP3863962B2, 申请日期: 2006-10-06, 公开日期: 2006-12-27
作者:  寺口 信明
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窒化物系化合物半導体装置 专利
专利号: JP2000243947A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者:  寺口 信明
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
電極構造 专利
专利号: JP1999097744A, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-04-09
作者:  寺口 信明
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30
窒化物系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998270802A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
作者:  寺口 信明
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半導体レーザ 专利
专利号: JP1997097944A, 申请日期: 1997-04-08, 公开日期: 1997-04-08
作者:  寺口 信明;  奥村 敏之
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電極構造およびその製造方法 专利
专利号: JP1996032115A, 申请日期: 1996-02-02, 公开日期: 1996-02-02
作者:  寺口 信明
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