| 電極構造 | |
| 寺口 信明 | |
| 1999-04-09 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP1999097744A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 電極構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。 【解決手段】 Mgを含むAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上61に、少なくとも1種類以上の水素貯蔵金属を含む層を有することにより、金属水素化物層が形成され、その結果Mg原子と結合している水素が引き寄せられ、表面近傍63のMg原子がアクセプタ不純物として活性化される。半導体層/電極界面63ではコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。 |
| 公开日期 | 1999-04-09 |
| 申请日期 | 1994-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50901]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺口 信明. 電極構造. JP1999097744A. 1999-04-09. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论