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	電極構造およびその製造方法
	寺口 信明
	1996-02-02
著作权人	SHARP CORP
专利号	JP1996032115A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	電極構造およびその製造方法
英文摘要	【目的】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。 【構成】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層61上に、窒化物生成自由エネルギー変化が0kcal/mol以下の金属と水素貯蔵金属とを堆積して電極62を形成すると、金属性窒化物層および金属水素化物層からなる電極が形成される。金属性窒素化物層により窒素原子が半導体層表面に引き寄せられ、半導体層61表面近傍は窒素原子空孔が少ないp型伝導性に適した結晶状態となる。金属水素化物層によりMg原子と結合している水素が引き寄せられ、表面近傍63のMg原子がアクセプタ不純物として活性化される。半導体層/電極界面63ではコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。
公开日期	1996-02-02
申请日期	1994-07-19
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50900]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	寺口 信明. 電極構造およびその製造方法. JP1996032115A. 1996-02-02.

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