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中国第一台高性能白光中子源——CSNS反角白光中子源及其应用 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 页码: 2012-2022
作者:  唐靖宇;  安琪;  白怀勇;  鲍杰;  曹平
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/30
中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量 期刊论文
物理学报, 2019, 页码: 38-47
作者:  鲍杰;  陈永浩;  张显鹏;  栾广源;  任杰
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/30
中国散裂中子源反角白光中子束流参数 的初步测量 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 页码: 1-10
作者:  鲍杰;  陈永浩;  张显鹏;  栾广源;  任杰
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/30
中国第一台高性能白光中子源——CSNS反角白光中子源及其应用 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 期号: 10, 页码: 2012-2022
作者:  唐靖宇;  安琪;  白怀勇;  鲍杰;  曹平
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/27
苏云金芽胞杆菌高效表达载体的构建 期刊论文
微生物学通报, 2013, 期号: 02, 页码: 350-361
作者:  李朝睿;  杜立新;  彭琦;  梁影屏;  高继国
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/10/23
重大专项政策对集成电路产业创新影响 期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 1, 页码: 9-12
宋朝瑞; 郑惠强; 赵宇航; 赵建忠; 陈强
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/02/22
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257
王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/02/22
基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254821A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 曹铎; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06
沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102226270A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06
一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06

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