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| 氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者: 盐泽胜臣; 金本恭三; 大石敏之; 黑川博志; 川崎和重
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2908111B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
作者: 大石 敏之; 大村 悦司
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| 分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者: 阿部 雄次; 大塚 健一; 杉本 博司; 大石 敏之; 松井 輝仁
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2619057B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-11
作者: 阿部 雄次; 杉本 博司; 大塚 健一; 大石 敏之; 松井 輝仁
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| 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
作者: 松井 輝仁; 大塚 健一; 杉本 博司; 阿部 雄次; 大石 敏之
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| 半導体レ-ザおよびその使用方法 专利
专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者: 松井 輝仁; 大塚 健一; 杉本 博司; 阿部 雄次; 大石 敏之
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| 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
作者: 杉本 博司; 後藤田 光伸; 井須 俊郎; 阿部 雄次; 大塚 健一
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1995007862B2, 申请日期: 1995-01-30, 公开日期: 1995-01-30
作者: 阿部 雄次; 杉本 博司; 大塚 健一; 大石 敏之; 松井 輝仁
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