|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| A CMOS variable gain LNA for UWB receivers 期刊论文
Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 2
Chen, Feihua; Li, Lingyun; Duo, Xinzhong; Tian, Tong; Sun, XW
  收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2012/08/23 |
| 一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 期刊论文
电子与信息学报, 2010, 期号: 11
谌斐华; 多新中; 孙晓玮
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06
|
| 具有片上巴伦的CMOS超宽带接收机 期刊论文
电子设计应用, 2009, 期号: 01
林水洋; 孙晓玮; 陈威; 多新中; 梅年松; 叶祖勋; 杨立吾; 于永学
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06
|
| 十二位SOI/CMOS数模转换器的研制 期刊论文
功能材料与器件学报, 2002, 期号: 01
范秀强; 张正番; 刘永光; 多新中; 张苗; 王连卫; 林成鲁
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2001
多新中
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2012/03/06
|
| 一种低剂量注氧制作绝缘层上硅(SOI)电路的器件工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1279505, 申请日期: 2001-01-01, 公开日期: 2001-01-10
王连卫; 林成鲁; 张苗; 范秀强; 多新中
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/01/10 |
| 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法 成果
鉴定: 无, 2001
林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中
收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅 期刊论文
功能材料, 2001, 期号: 06
刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁; 朱剑豪
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/03/29
|
| 离子束增强沉积AlN薄膜的研究 期刊论文
压电与声光, 2001, 期号: 05
门传玲; 徐政; 郑志宏; 多新中; 张苗; 林成鲁
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/03/29
|
| 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04
刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2012/03/29
|
