离子束增强沉积AlN薄膜的研究

	离子束增强沉积AlN薄膜的研究
	门传玲 ; 徐政 ; 郑志宏 ; 多新中 ; 张苗 ; 林成鲁
刊名	压电与声光
	2001
期号	05
关键词	K1 离子束增强沉积 AlN SOI
ISSN号	1004-2474
其他题名	T1 离子束增强沉积AlN薄膜的研究
中文摘要	利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得的薄膜 N/Al分别为 0 .40 2∶ 1和 0 .2 5 0∶ 1。SRP测试结果表明 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,表面电阻下降 ,并且在 0 .0 5 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密 ,表面电阻高于 10 8Ω
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106415]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	门传玲,徐政,郑志宏,等. 离子束增强沉积AlN薄膜的研究[J]. 压电与声光,2001(05).
APA	门传玲,徐政,郑志宏,多新中,张苗,&林成鲁.(2001).离子束增强沉积AlN薄膜的研究.压电与声光(05).
MLA	门传玲,et al."离子束增强沉积AlN薄膜的研究".压电与声光 .05(2001).